ஆராய்ச்சி மற்றும் விமர்சனங்கள்

எலக்ட்ரிக்கல், எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் இன்ஸ்ட்ருமென்டேஷன் இன்ஜினியரிங் இன் மேம்பட்ட ஆராய்ச்சிக்கான சர்வதேச இதழ்

English Spanish Chinese Russian German French Japanese Portuguese Hindi Telugu

சுருக்கம்

Analysis of Punch-Through Breakdown Voltages in 3C-Sic Schottky Barrier Diode Using Gaussian Profile for 200?m Thick Wafer

Pratibha Nishad, A. K. Chatterjee

The punch through breakdown voltage of 3C-SiC Schottky Barrier Diode has been analysed in this paper using Gaussian profile. It is observed that 3C-SiC Schottky barrier diode yield high punch through breakdown voltage with higher values of peak doping concentration and lower values of constant m with increasing depletion region width. So, thinner wafers of 3C-SiC can be used to fabricate Schottky barrier diode to provide higher breakdown voltage using Gaussian profile.

மறுப்பு: இந்த சுருக்கமானது செயற்கை நுண்ணறிவு கருவிகளைப் பயன்படுத்தி மொழிபெயர்க்கப்பட்டது மற்றும் இன்னும் மதிப்பாய்வு செய்யப்படவில்லை அல்லது சரிபார்க்கப்படவில்லை

ஜர்னல் ஹைலைட்ஸ்

அடாப்டிவ் சிக்னல் செயலாக்கம் அடிப்படை மின் பொறியியல் ஆப்டிகல் கம்யூனிகேஷன் ஒத்திசைவற்ற இயந்திரங்கள் கட்டுப்பாட்டு கோட்பாடு மற்றும் பயன்பாடு குறைக்கடத்தி தொழில்நுட்பம் சுமைகள் மற்றும் மின் ஆற்றல் மாற்றியின் மின் மற்றும் சுரண்டல் பண்புகள் செயற்கை நுண்ணறிவு மற்றும் மின் பொறியியல் பயன்பாடு செயற்கைக்கோள் தொடர்பு டிஜிட்டல் சிக்னல் செயலாக்கம் நோய் கண்டறிதல் மற்றும் உணர்தல் அமைப்புகள் பயோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் பவர் எலக்ட்ரானிக் மாற்றிகளின் பகுப்பாய்வு மின் இயந்திரங்கள் மின் தரம் மற்றும் விநியோகச் செலவு ஆகியவற்றின் பொருளாதார அம்சங்கள் மின்காந்த டிரான்சியன்ட்ஸ் புரோகிராம்கள் (EMTP) மின்சார இயக்கிகள் மற்றும் பயன்பாடு மின்னணு பொருட்கள் மின்னணுவியலில் செயற்கை நுண்ணறிவு வயர்லெஸ் நெட்வொர்க்கிங்

குறியிடப்பட்டது

கல்வி விசைகள்
ஆராய்ச்சி பைபிள்
CiteFactor
காஸ்மோஸ் IF
RefSeek
ஹம்டார்ட் பல்கலைக்கழகம்
அறிஞர்
சர்வதேச புதுமையான இதழ் தாக்க காரணி (IIJIF)
சர்வதேச அமைப்பு ஆராய்ச்சி நிறுவனம் (I2OR)
காஸ்மோஸ்

மேலும் பார்க்க

சர்வதேச இதழ்கள்

பொது அறிவியல் பொறியியல் மருத்துவ அறிவியல் மருந்து அறிவியல்